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晶芯相融 引链未来
核心技术
突破传统柔性薄膜封装技术,利用涂佈超薄光阻膜,专用刻蚀设备与药液,完成高蚀刻因子的线宽与线距各8微米,让芯片于固定的尺寸,设计更多的电路,实现面板有更高显效果。使用卷对卷设备,设计出稳定的水平张力传输,稳定的烘烤传输设备,让整卷的材料超能有超高精度OLB TTL Pitch涨缩控制技术等关键工艺技术,涨缩控制于万分之三内,生产出的COF载带在IC 绑定与玻璃贴合的良率与可大幅提升。再利用可绕折防焊与线路表面处理方式,让其COF载带可有较高饶折性,让其在后制程组装上有更高的可靠度。
  • 卷对卷超薄工艺厚度制程
  • 超细线路工艺制程
  • 高绕折工艺制程